페이지 정보 작성자 관리자 댓글 0건 조회 215회 작성일 22-04-02 17:10 Publication 목록 Journal Metal Semiconductor Metal Varactors Based on InAlN/GaN Heterostructure with Cut-off Frequency of 308 GHz Author : D. M. Geum, S. H. Shin, S. M. Hong, J. H. Jang Source IEEE Electron Device Letters, vol. 36, no. 4, pp. 306-308, 2015 Year 2015 본문 목록