페이지 정보 작성자 관리자 댓글 0건 조회 304회 작성일 22-04-04 12:50 Publication 목록 Conference Fabrication of InAs composite channel high electron mobility transistors by utilizing Ne-based atomic layer etching Author : T. W. Kim, D. H. Kim, S. D. Park, J.W. Bae, G. Y. Yeom, J. I. Song, J. H. Jang Source Applied Physics Letters, pp. 102110(1-3), 2007. Year 2007 본문 목록